真空探針臺(tái)是一個(gè)低成本不需要低溫制冷劑的探針臺(tái)，它可以對(duì)器件進(jìn)行非破壞性的測(cè)試，器件的尺寸可達(dá)到51mm，可以對(duì)材料或器件的電學(xué)特性測(cè)量、光電特性測(cè)量、參數(shù)測(cè)量、high Z測(cè)量、DC測(cè)量、RF測(cè)量和微波特性測(cè)量提供一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。

　　真空探針臺(tái)主要用于為被測(cè)芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測(cè)量環(huán)境，以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來(lái)的測(cè)試結(jié)果誤差。因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　下面為您介紹真空探針臺(tái)所具備的特點(diǎn)：

　　1、2.25T垂直超導(dǎo)磁場(chǎng)。

　　2、高溫選件溫度范圍：20K到500K。

　　3、采用閉循環(huán)制冷機(jī)制冷，不需消耗任何液氮或液氦，基本系統(tǒng)溫度范圍：10K到350K。

　　4、探針臂分別在防輻射屏和樣品臺(tái)上熱沉，溫度可以低至25K。

　　5、控溫穩(wěn)定性：±50mK。

　　6、探針臂傳上安裝溫度感器進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)。

　　7、低振動(dòng)設(shè)計(jì)：在樣品臺(tái)<1μm ( X, Y, Z軸)。

　　8、各種樣品架適于低噪音，高頻，高阻測(cè)量。

　　9、測(cè)量DC到67GHz。

　　10、測(cè)試樣品尺寸51mm（2in）直徑，可使用6個(gè)探針臂。

　　以上就是小編今天為大家?guī)?lái)的全部?jī)?nèi)容了，希望能夠?qū)δ兴鶐椭?/div>